Президент России — официальный сайт

Государственная премия Российской Федерации 2010 года в области науки и технологий присуждена ГАПОНЦЕВУ Валентину Павловичу за комплекс инновационных разработок и создание высокотехнологичного производства волоконных лазеров и систем волоконно-оптической магистральной и локальной связи

Валентин Павлович Гапонцев родился 23 февраля 1939 года в г.Москве. К. ф. ‑м. н., заведующий кафедрой МФТИ и Политехнического института Worcester (США), генеральный директор Научно-технического объединения «ИРЭ–Полюс», председатель Совета директоров и управляющий директор Международной научно-технической корпорации «IPG Photonics».

В.П.Гапонцев – ведущий специалист в области лазерной физики и техники, волоконных и оптоэлектронных технологий. В работах лауреата проявилось яркое сочетание исследователя, многопрофильного инженера и талантливого предпринимателя, реализовавшего свои пионерские идеи и результаты фундаментальных и прикладных исследований во многих сотнях уникальных материалов, устройств, приборов и систем. Благодаря его таланту внедрены в массовое производство высокоэффективные лазерные фосфатные стёкла, созданы мощные волоконные лазеры и усилители, разработан и организован выпуск отечественных суперсовременных систем волоконно-оптической фиксированной связи.

В.П.Гапонцев – основатель научно-производственной корпорации «IPG Photonics», разрабатывающей и производящей мощные волоконные лазеры в Германии, США и России. Реализация этих наукоёмких разработок позволила вывести нашу страну на международную арену высоких технологий при минимальных финансовых вложениях, а компании «IPG Photonics» занять около 80% своего сегмента на мировом рынке профильной продукции.

В 2010 году, когда отмечался 50-летний юбилей создания лазера, В.П.Гапонцев, единственный из отечественных специалистов, был включён в список 28 выдающихся мировых учёных в области лазерной физики, техники и технологии. Его работы, начатые около 20 лет назад в нашей стране в НТО «ИРЭ–Полюс», опирались на предложенную им собственную концепцию создания оптических квантовых генераторов, базирующуюся на принципиально новой технологической платформе. Эффективность системы была подтверждена уже первыми научными результатами, надёжностью реализованных высокотехнологических устройств. Все разработки лауреата обладают уникальными характеристиками: простотой эксплуатации, стабильностью параметров и безотказностью работы в течение ряда лет без сервисного обслуживания.

Биомедицинский комплекс, основным элементом которого является эрбиевый волоконный лазер производства НТО «ИРЭ–Полюс», лёг в основу внедрённой в клиническую практику уникальной технологии коррекции формы хряща носовой перегородки.

В числе заслуг В.П.Гапонцева следует отметить и его общественно-образовательную работу в создании научно-учебных центров лазерной технологии в ведущих исследовательских университетах страны, в подготовке кадров молодых российских учёных и специалистов в области лазерной физики.