Выберите шрифт Arial Times New Roman
Интервал между буквами (Кернинг): Стандартный Средний Большой
Банк документов /
<p>фазы металлоорганических
соединений, специально
разработанные для выращивания
кристаллов полупроводниковых
соединений с использованием
материалов, контролируемых по
пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве
исходных
Особое примечание.
В отношении оборудования,
указанного в пункте 3.2.1.1.2, см.
также пункт 3.2.1 раздела 2;
3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно- 8479 89 700 0;
эпитаксиального выращивания с 8543 89 650 0
использованием газообразных или
твердых источников;
3.2.1.2. Управляемое встроенной программой 8543 11 000 0
оборудование, предназначенное для
ионной имплантации, имеющее любую
из следующих характеристик:
а) энергию пучка (ускоряющее
напряжение) более 1 МэВ;
б) специально спроектированное
и оптимизированное для работы с
энергией пучка (ускоряющим
напряжением) менее 2 кэВ;
в) имеет возможность
непосредственного формирования
рисунка; или
г) имеет возможность
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала;
3.2.1.3. Управляемое встроенной программой
оборудование для сухого
анизотропного плазменного
травления:
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок 8456 91 000 0;
из кассеты в кассету и шлюзовой 8456 99 800 0
загрузкой, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) разработанное или
оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью
(3 сигма), равной +-5 %; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый размер
частицы более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8456 91 000 0;
спроектированное для систем, 8456 99 800 0
контролируемых по пункту 3.2.1.5,
и имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или
оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью
(3 сигма), равной +-5 %; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый размер
частицы более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.4. Управляемое встроенной программой 8419 89 200 0;
оборудование химического осаждения 8419 89 300 0
из паровой фазы с применением
плазменного разряда, ускоряющего
процесс:
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок
из кассеты в кассету и шлюзовой
загрузкой, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) разработанное в соответствии
с техническими условиями
производителя или оптимизированное
для производства структур с
критическим размером 0,3 мкм или
менее и погрешностью (3 сигма),
равной +-5 %; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый
размер частицы более 0,1 мкм в
диаметре;
3.2.1.4.2. Оборудование, специально
спроектированное для систем,
контролируемых по пункту 3.2.1.5,
и имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное в соответствии с
техническими условиями
производителя или оптимизированное
для производства структур с
критическим размером 0,3 мкм или
менее и погрешностью (3 сигма),
равной +-5 %; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый размер
частицы более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.5. Управляемые встроенной 8456 10;
программой автоматически 8456 91 000 0;
загружаемые многокамерные 8456 99 800 0;
системы с центральной загрузкой 8456 99 300 0;
полупроводниковых пластин 8479 50 000 0
(подложек), имеющие все следующие
характеристики:
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин (подложек), к
которым присоединяется более двух
единиц оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин (подложек) в
вакууме
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы
управления загрузкой пластин
(подложек), не предназначенные для
работы в вакууме;
3.2.1.6. Управляемое встроенной программой
оборудование для литографии:
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин 9009 22 000 0
с использованием методов
оптической или рентгеновской
литографии с пошаговым совмещением
и экспозицией (непосредственно на
пластине) или сканированием
(сканер), имеющее любое из
следующего:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) возможность формирования рисунка
с минимальным разрешаемым размером
элемента 0,35 мкм и менее
Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер
элемента (МРР) рассчитывается по
следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света
в микрометрах) х (К фактор) /
(числовая апертура),
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Оборудование, специально 8456 10;
разработанное для изготовления 8456 99
шаблонов или производства
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
сфокусированного электронного,
ионного или лазерного пучка,
имеющее любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) возможность формирования
рисунка с размером элементов менее
1 мкм; или
в) точность совмещения слоев лучше
+-0,20 мкм (3 сигма);
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 9010 90
разработанные для производства
интегральных схем, контролируемых
по пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 9010 90
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Управляемое встроенной программой
оборудование, специально
разработанное для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально разработанные для этого
компоненты и приспособления:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390 0
транзисторных приборов на частотах
выше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытания интегральных схем, 9030;
способное выполнять функциональное 9031 20 000 0;
тестирование (по таблицам 9031 80 390 0
истинности) с частотой
тестирования строк выше 333 МГц
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не
контролируется оборудование,
специально разработанное для
испытания:
а) электронных сборок или любого
класса электронных сборок бытового
или развлекательного назначения;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок
или интегральных схем;
в) запоминающих устройств
Техническое примечание.
Для целей этого пункта частота
тестирования определяется как
максимальная частота цифрового
режима работы испытательного
устройства. Поэтому она является
эквивалентом скорости
тестирования,
которую может обеспечить указанное
устройство во внемультиплексном
режиме. Она может также считаться
скоростью испытания, относиться к
максимальной цифровой частоте или
к максимальной цифровой скорости;
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9030;
интегральных схем, контролируемых 9031 20 000 0;
по пункту 3.1.1.2.2 9031 80 390 0
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры
(материалы), состоящие из подложки
с несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными слоями
любого из следующих материалов:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия 3818 00 900 0
или индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это либо
поликристаллические, либо бинарные
или многокомпонентные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA
и VA (по отечественной
классификации это группы А3 и В5)
периодической системы Менделеева
(например, арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия
и тому подобное)
3.3.2. Материалы резистов, а также
подложки, покрытые контролируемыми
резистами:
3.3.2.1. Позитивные резисты, 3824 90 990 0
предназначенные для
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для
использования на длине волны менее
350 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
электронными или ионными
пучками, с чувствительностью
0,01 мкКл/кв. мм или лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм
или лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 990 0
технологии формирования рисунка,
включая силилированные резисты
Техническое примечание.
Технология силилирования - это
процесс, включающий окисление
поверхности резиста, для повышения
качества мокрого и сухого
проявления
3.3.3. Следующие органо-неорганические
соединения:
3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0
алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы
более 99,999 %;
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0
сурьмы и фосфорорганические
соединения с чистотой
неорганического элемента более
99,999 %
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются
только соединения, металлический,
частично металлический или
неметаллический элемент в которых
непосредственно связан с углеродом
органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0;
сурьмы, имеющие чистоту 2850 00 200 0
более 99,999 %, даже будучи
растворенными в инертных газах
или водороде
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются
гидриды, содержащие 20 % и более
молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение,
специально разработанное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по
пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение,
специально разработанное для
применения в оборудовании,
управляемом встроенной программой
и контролируемом по пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного
проектирования (САПР), имеющее все
следующие составляющие:
а) предназначено для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и
б) предназначено для выполнения
или использования любого из
следующего:
реализации правил проектирования
или правил проверки схем;
моделирования физической топологии
схем; или
проектного моделирования
литографических процессов
Техническое примечание.
Проектное моделирование
литографических процессов - это
пакет программного обеспечения,
используемый на этапе
проектирования для определения
последовательности операций
литографии, травления и осаждения
в целях воплощения маскирующих
шаблонов в конкретные
топологические рисунки на
проводниках, диэлектриках или
полупроводниках
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не
контролируется программное
обеспечение, специально
разработанное для ввода описания
схемы, моделирования логической
схемы, раскладки и трассировки
(проведения соединений между
точками схемы), проверки топологии
или ленты-носителя формирования
рисунка
2. Библиотеки, проектные атрибуты
или сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Списку для разработки
или производства оборудования или
материалов, контролируемых по
пункту 3.1, 3.2 или 3.3
3.5.2. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Списку другие, чем те,
которые контролируются по пункту
3.5.1, для разработки или
производства микросхем
микропроцессоров, микросхем
микрокомпьютеров и микросхем
микроконтроллеров, имеющих
совокупную теоретическую
производительность (СТП)
530 Мтопс (миллионов
теоретических операций в секунду)
или более и арифметико-логическое
устройство с длиной выборки 32 бит
или более
Примечание.
По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не
контролируются технологии для
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже
31 ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих
оба нижеперечисленных признака:
1) использующие технологии с
разрешением 0,5 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных
структур
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры",
приведенный в подпункте 2
пункта "б" примечания, не включает
приборы, содержащие максимум три
металлических слоя и три слоя
поликристаллического кремния
3.5.3. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов
на гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных
транзисторов на гетероструктуре,
приборов с квантовыми ямами или
приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек из алмазных пленок для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на
диэлектрике (КНД-структур) для
интегральных схем, в которых
диэлектриком является диоксид
кремния;
е) подложек из карбида кремния для
электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп,
работающих на частотах 31 ГГц или
выше
КАТЕГОРИЯ 4.
ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование
и программное обеспечение,
задействованные в
телекоммуникациях или локальных
вычислительных сетях, должны быть
также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 1 категории 5
(Телекоммуникации)
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
устройства оперативной памяти или
дисковые контроллеры, не
рассматриваются как
телекоммуникационное оборудование,
описанное в части 1 категории 5
(Телекоммуникации)</p> Показать следующую страницу документа