Выберите шрифт Arial Times New Roman
Интервал между буквами (Кернинг): Стандартный Средний Большой
Банк документов /
<p>частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пункте 3.1.2.3,
3.1.2.5 или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0
СВЧ-диапазона, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2,
и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) плотность средней выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг;
и
в) объем менее 400 куб. см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
спроектированная для работы в
любом диапазоне частот,
распределенном Международным
союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не
для радиоопределения;
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально разработанные для них
компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000 0
акустических волнах и на
акустических волнах в тонком
поверхностном слое (то есть
приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в
материале), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но
не превышающую 2,5 ГГц, и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ;
произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
ширину полосы частот выше
250 МГц; или
дисперсионную задержку более
10 мкс; или
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
дисперсионную задержку более
10 мкс; или
частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ и
ширину полосы частот, превышающую
50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0
волнах (то есть приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале),
обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах,
превышающих 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы 8541 60 000 0
обработки сигналов, использующие
взаимодействие между
акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать
сигналы или изображения, включая
анализ спектра, корреляцию или
свертку;
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
содержащие компоненты, 8541;
изготовленные из сверхпроводящих 8542;
материалов, специально 8543
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
а) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у
которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах)
на рассеиваемую мощность на
вентиль (в ваттах) менее
-14
10 Дж; или
б) селекцию частоты на всех
частотах с использованием
резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10 000;
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные
энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Батареи и сборки
фотоэлектрических элементов:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506;
плотностью энергии, превышающей 8507;
480 Вт х ч/кг, и пригодные для 8541 40 900 0
работы в диапазоне температур от
о
ниже 243 К (-30 С) до выше 343 К
о
(70 С);
3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи 8506;
с плотностью энергии более 8507;
150 Вт х ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0
заряд-разряда при токе разряда,
равном С/5 (С - номинальная
емкость в ампер-часах, 5 - время
разряда в часах), при работе в
диапазоне температур от ниже
о
253 К (-20 С)
о
до выше 333 К (60 С)
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется
путем умножения средней мощности
в ваттах (произведение среднего
напряжения в вольтах на средний
ток в амперах) на длительность
цикла разряда в часах, при
котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75 % от
номинала, и деления полученного
произведения на общую массу
элемента (или батареи) в
килограммах;
3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения 8506;
в космосе, и радиационно стойкие 8507;
сборки фотоэлектрических 8541 40 900 0
элементов с удельной мощностью
более 160 Вт/кв. м при рабочей
о
температуре 301 К (28 С) и
облучении от вольфрамового
источника, нагретого до
о
температуры 2800 К (2527 С) с
плотностью мощности излучения
1 кВт/кв. м
Примечание.
По пунктам 3.1.1.5.1.1 -
3.1.1.5.1.3 не контролируются
батареи объемом 27 куб. см или
менее (например, стандартные
элементы с угольными стержнями или
батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные
конденсаторы:
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
ниже 10 Гц (одноразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все 8532
следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг
или более; и
в) полную энергию 25 кДж или
более;
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
10 Гц и выше (многоразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все 8532
следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ
или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или
более;
в) полную энергию 100 Дж или
более; и
г) количество циклов заряд-разряда
10 000 или более;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты 8504 50;
и соленоиды, специально 8505 90 100 0
разработанные на полный заряд или
разряд менее чем за 1 с, имеющие
все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при
разряде, превышающую 10 кДж за
первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
больше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке более 300 А/кв. мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально разработанные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии;
3.1.1.6. Цифровые преобразователи 9031 80 320 0;
абсолютного углового положения 9031 80 340 0
вращающегося вала, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и
специально разработанная
измерительная магнитная лента
для нее:
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной 8520 32 500 0;
ленте показаний аналоговой 8520 32 990 0;
аппаратуры, включая аппаратуру с 8520 39 900 0;
возможностью записи цифровых 8520 90 900 0;
сигналов (например, использующие 8521 10 300 0;
модуль цифровой записи высокой 8521 10 800 0
плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую
4 МГц на электронный канал или
дорожку;
б) полосу частот, превышающую
2 МГц на электронный канал или
дорожку, при количестве дорожек
более 42; или
в) ошибку рассогласования
(основную) временной шкалы,
измеренную по методикам
соответствующих руководящих
материалов Межведомственного
совета по радиопромышленности
(IRIG) или Ассоциации электронной
промышленности (ЕIA), менее
+-0,1 мкс
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны на
магнитной ленте, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются как
записывающие устройства,
использующие ленту;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на 8521 10;
магнитной ленте, имеющие 8521 90 000 0
максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 360 Мбит/с
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны на магнитной
ленте, специально разработанные
для телевизионной записи,
использующие формат сигнала,
который может включать сжатие
формата сигнала,
стандартизированный или
рекомендуемый для применения в
гражданском телевидении
Международным союзом электросвязи,
Международной электротехнической
комиссией, Организацией инженеров
по развитию кино и телевидения,
Европейским союзом радиовещания,
Европейским институтом стандартов
по телекоммуникациям или
Институтом инженеров по
электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной 8471 70 600 0;
ленте показаний цифровой 8521 10
аппаратуры, использующие принципы
спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с; или
б) пригодные для применения в
космосе
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются устройства записи
данных на магнитной ленте,
оснащенные электронными блоками
для преобразования в цифровую
запись высокой плотности и
предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной 8521 90 000 0
пропускной способностью цифрового
интерфейса, превышающей
175 Мбит/с, разработанная в целях
переделки цифровых
видеомагнитофонов на магнитной
ленте для использования их как
устройств записи данных цифровой
аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования 8471 90 000 0;
сигналов в цифровую форму и записи 8543 89 950 0
переходных процессов, имеющие все
следующие характеристики:
а) скорость преобразования в
цифровую форму 200 млн. проб в
секунду или более и разрешение
10 бит или более; и
б) непрерывную пропускную
способность 2 Гбит/с или более
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой
на параллельной шине непрерывная
пропускная способность есть
произведение наибольшего объема
слов на количество бит в слове.
Непрерывная пропускная
способность - это наивысшая
скорость передачи данных
аппаратуры, с которой информация
поступает в запоминающее
устройство без потерь при
сохранении скорости выборки и
аналого-цифрового преобразования;
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50;
аппаратуры, использующие способ 8471 60 100 0;
хранения на магнитном диске, 8471 60 900 0;
имеющие все следующие 8471 70 100 0;
характеристики: 8471 70 510 0;
а) скорость преобразования в 8471 70 530 0;
цифровую форму 100 млн. проб в 8520 90 100 0;
секунду и разрешение 8 бит или 8520 90 900 0;
более; и 8521 90 000 0;
б) непрерывную пропускную 8522 90 590 0;
способность не менее 1 Гбит/с 8522 90 930 0;
или более; 8522 90 980 0
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000 0
частот, имеющие время переключения
частоты менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, 9030 83 900 0;
анализирующие любые сигналы с 9030 89 920 0
частотой выше 31,8 ГГц, но ниже
37,5 ГГц, или превышающие
43,5 ГГц;
3.1.2.3.2. Динамические анализаторы сигналов 9030 83 900 0;
с полосой частот в реальном 9030 89 920 0
масштабе времени, превышающей
500 кГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.3.2 не
контролируются динамические
анализаторы сигналов,
использующие только фильтры с
полосой пропускания фиксированных
долей (известны также как октавные
или дробно-октавные фильтры);
3.1.2.4. Генераторы сигналов 8543 20 000 0
синтезированных частот,
формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам
точности, кратковременной и
долговременной стабильности на
основе или с помощью внутренней
эталонной частоты и имеющие любую
из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую
частоту, превышающую 31,8 ГГц;
б) время переключения с одной
выбранной частоты на другую менее
1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой
полосы лучше -(126 + 20 lgF -
20 lgf) в единицах дБ/Гц, где F -
смещение от рабочей частоты в Гц,
а f - рабочая частота в МГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в
которой выходная частота создается
либо путем сложения или вычитания
частот с двух или более кварцевых
генераторов, либо путем сложения
или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты;
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные 9030 40 900 0
измерители полных сопротивлений;
измерители амплитуды, фазы и
групповой задержки двух сигналов
относительно опорного сигнала) с
максимальной рабочей частотой,
превышающей 43,5 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 980 0
имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 43,5 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000 0
любую из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
-11
(старение) меньше (лучше) х 110
в месяц; или
б) пригодные для применения
в космосе
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7
не контролируются рубидиевые
эталоны, непригодные для
применения в космосе
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов
частоты, указанных в подпункте "б"
пункта 3.1.2.7, см. также пункт
3.1.1 раздела 2
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства
полупроводниковых приборов или
материалов и специально
разработанные компоненты и
оснастка для них:
3.2.1.1. Управляемое встроенной программой
оборудование для эпитаксиального
выращивания:
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8479 89 650 0
толщину выращиваемого слоя с
отклонением менее +-2,5 % на
расстояниях 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8419 89 200 0
химического осаждения из паровой</p> Показать следующую страницу документа