Выберите шрифт Arial Times New Roman
Интервал между буквами (Кернинг): Стандартный Средний Большой
Банк документов /
<p>частотного диапазона аппаратуры, указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0 СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: а) рабочие частоты выше 3 ГГц; б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и в) объем менее 400 куб. см Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; 3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты: 3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000 0 акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; 3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0 волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 1 ГГц; 3.1.1.3.3. Акустооптические приборы 8541 60 000 0 обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540; содержащие компоненты, 8541; изготовленные из сверхпроводящих 8542; материалов, специально 8543 спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее -14 10 Дж; или б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000; 3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства: 3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических элементов: 3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506; плотностью энергии, превышающей 8507; 480 Вт х ч/кг, и пригодные для 8541 40 900 0 работы в диапазоне температур от о ниже 243 К (-30 С) до выше 343 К о (70 С); 3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи 8506; с плотностью энергии более 8507; 150 Вт х ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0 заряд-разряда при токе разряда, равном С/5 (С - номинальная емкость в ампер-часах, 5 - время разряда в часах), при работе в диапазоне температур от ниже о 253 К (-20 С) о до выше 333 К (60 С) Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в килограммах; 3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения 8506; в космосе, и радиационно стойкие 8507; сборки фотоэлектрических 8541 40 900 0 элементов с удельной мощностью более 160 Вт/кв. м при рабочей о температуре 301 К (28 С) и облучении от вольфрамового источника, нагретого до о температуры 2800 К (2527 С) с плотностью мощности излучения 1 кВт/кв. м Примечание. По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи объемом 27 куб. см или менее (например, стандартные элементы с угольными стержнями или батареи типа R14); 3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы: 3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506; ниже 10 Гц (одноразрядные 8507; конденсаторы), имеющие все 8532 следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и в) полную энергию 25 кДж или более; 3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506; 10 Гц и выше (многоразрядные 8507; конденсаторы), имеющие все 8532 следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; в) полную энергию 100 Дж или более; и г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более; 3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты 8504 50; и соленоиды, специально 8505 90 100 0 разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии; 3.1.1.6. Цифровые преобразователи 9031 80 320 0; абсолютного углового положения 9031 80 340 0 вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или б) точность лучше +-2,5 угл. с 3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: 3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: 3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной 8520 32 500 0; ленте показаний аналоговой 8520 32 990 0; аппаратуры, включая аппаратуру с 8520 39 900 0; возможностью записи цифровых 8520 90 900 0; сигналов (например, использующие 8521 10 300 0; модуль цифровой записи высокой 8521 10 800 0 плотности), имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (ЕIA), менее +-0,1 мкс Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; 3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на 8521 10; магнитной ленте, имеющие 8521 90 000 0 максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; 3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной 8471 70 600 0; ленте показаний цифровой 8521 10 аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; 3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной 8521 90 000 0 пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 3.1.2.1.5. Приборы для преобразования 8471 90 000 0; сигналов в цифровую форму и записи 8543 89 950 0 переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; 3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50; аппаратуры, использующие способ 8471 60 100 0; хранения на магнитном диске, 8471 60 900 0; имеющие все следующие 8471 70 100 0; характеристики: 8471 70 510 0; а) скорость преобразования в 8471 70 530 0; цифровую форму 100 млн. проб в 8520 90 100 0; секунду и разрешение 8 бит или 8520 90 900 0; более; и 8521 90 000 0; б) непрерывную пропускную 8522 90 590 0; способность не менее 1 Гбит/с 8522 90 930 0; или более; 8522 90 980 0 3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000 0 частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот: 3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, 9030 83 900 0; анализирующие любые сигналы с 9030 89 920 0 частотой выше 31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или превышающие 43,5 ГГц; 3.1.2.3.2. Динамические анализаторы сигналов 9030 83 900 0; с полосой частот в реальном 9030 89 920 0 масштабе времени, превышающей 500 кГц Примечание. По пункту 3.1.2.3.2 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); 3.1.2.4. Генераторы сигналов 8543 20 000 0 синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную синтезируемую частоту, превышающую 31,8 ГГц; б) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; 3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные 9030 40 900 0 измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 980 0 имеющие все следующие характеристики: а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; 3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000 0 любую из следующих характеристик: а) долговременную стабильность -11 (старение) меньше (лучше) х 110 в месяц; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе Особое примечание. В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование 3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: 3.2.1.1. Управляемое встроенной программой оборудование для эпитаксиального выращивания: 3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8479 89 650 0 толщину выращиваемого слоя с отклонением менее +-2,5 % на расстояниях 75 мм или более; 3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8419 89 200 0 химического осаждения из паровой</p>Показать следующую страницу документа